Samsung показала «самую быструю» микросхему памяти

11.11.2017 10:28 2

Samsung показала «самую быструю» микросхему памяти

Память GDDR6 наиболее энергоэффективная DRAM для графических решений
Корпорация Samsung Electronics представит на CES 2018 первую микросхему памяти GDDR6, которая будет использоваться в графических ускорителях следующего поколения.
Новый чип носит маркировку K4ZAF325BM-HC14, характеризуется емкостью 2 ГБ со скоростью передачи данных 16 Гбит/с и в своей категории был удостоен награды «Лучшая инновация CES 2018», передает СобКор.
Память GDDR6 является «самой быстрой и наиболее энергоэффективной DRAM для графических решений следующего поколения». Упомянутая двухгигабайтная микросхема обеспечивает скорость передачи данных в 16 Гбит/с в расчете на один вывод и работает с напряжением 1,35 В.
Samsung показала «самую быструю» микросхему памяти
Использование микросхем GDDR6 в видеоускорителях с 256-разрядной шиной позволит увеличить пропускную способность памяти (ПСП) до 512 Гбайт/с или до 768 Гбайт/с в топовых адаптерах с 384-битной шиной памяти. Для сравнения, видеоускоритель Nvidia Titan Xp, располагающий 12 гигабайтами GDDR5X с эффективной частотой 11,4 ГГц, обладает ПСП около 548 ГБ/с.
К сожалению, в настоящее время неизвестно, когда именно южнокорейский гигант планирует запустить массовое производство новых микросхем.
Новости по теме: Современные технологии развиваются с каждым днем и вот уже одна из самых знаменитых компаний по производству флеш-накопителей Kingston может похвастаться своим достижением - максимальный размер памяти во флешках достиг двух терабайтов.

Источник

Следующая новость
Предыдущая новость

Процедура проверки на полиграфе Как найти честные новости Днепра Современные строительные технологии Сонячні електростанції для дому Алюминиевые листы всегда могут пригодиться

Последние новости